Mòduls Igbt
Aquest IGBT està dissenyat per la tecnologia avançada de trinxeres Field-Stop,
cobreix el producte de 650 V-1200V. Aquest IGBT ofereix un VCE baix (sat), alt
rendiment de commutació de velocitat i excel·lent qualitat per a l'aplicació
com ara PFC, UPS, soldador, inversor fotovoltaic i altres aplicacions de commutació.
Descripció
El mòdul IGBT és un compost de MOSFET i dispositiu de transistor bipolar, que combina
els avantatges d'aquests dos dispositius, amb alta impedància d'entrada, baixa tensió
caiguda, velocitat de commutació ràpida, etc. El mòdul IGBT s'ha utilitzat àmpliament en l'actualitat
tecnologia d'electrònica de potència, especialment en aplicacions d'alta freqüència i potència mitjana
ocupar una posició dominant.
Les principals característiques del mòdul IGBT inclouen:
Combinant els avantatges del MOSFET i del transistor bipolar: l'entrada d'IGBT
El mòdul és MOSFET i la sortida és un transistor PNP, que combina els avantatges
de petita potència d'accionament MOSFET i velocitat de commutació ràpida, així com els avantatges
de baixa tensió de saturació i gran capacitat dels dispositius bipolars.
adequat per a aplicacions d'alta freqüència:
El mòdul IGBT pot funcionar normalment en el rang de freqüències de desenes de kHz, molt adequat
per al seu ús en sistemes convertidors de tensió de CC de 600 V i superiors, com ara motor de CA, inversor,
Font d'alimentació de commutació, circuit d'il·luminació, accionament de tracció i altres camps.
estructura interna:
El mòdul IGBT conté una placa base de refrigeració, una placa base DBC i un xip de silici
(incloent xip IGBT i díode). Aquests components junts garanteixen el treball eficient
i estabilitat del mòdul.
Mòdul IGBT com a dispositiu electrònic de potència d'alt rendiment, els seus amplis camps d'aplicació
i l'alta fiabilitat fan que esdevingui una part indispensable de la tecnologia electrònica moderna .
estabilitat a alta temperatura:
a causa de les seves característiques de treball a alta temperatura, el MOSFET de SiC millora molt el
estabilitat a alta temperatura, adequat per a un entorn de treball a alta temperatura.
Alta temperatura de funcionament : la temperatura de funcionament màxima garantida
dels MOSFET comercials de SiC és de 150 graus < Tj < 200 graus i la temperatura de la unió
pot arribar fins a 600 graus, cosa que fa que el SiC sigui un material excel·lent per a alta tensió, alta
velocitat, corrent elevat, alta temperatura, aplicacions d'alimentació de commutació .
| Part núm | Descripció | paquet | BVCES(V) | IC(A) | VCESAT(V) | VGE (V) | VGE(th) (V) (típ.) |
| WGM300HD120T3 | 1200V 300A mig pont | HD | 1200 | 300 | 1.7 | 20 | 6 |
| WGM100PD120T3 | 1200V 100A PIM | PD | 1200 | 100 | 1.7 | 20 | 6 |
| WGM300HC120T3 | 1200V 300A mig pont | HC | 1200 | 300 | 1.7 | 20 | 6 |
| WGM200HC120T3 | 1200V 200A mig pont | HC | 1200 | 200 | 1.7 | 20 | 6 |
| WGM100FD120T3 | Pont complet 1200V 100A | FD | 1200 | 100 | 1.7 | 20 | 6 |
| WGM100HA120T3 | 1200V 100A mig pont | HA | 1200 | 100 | 1.7 | 20 | 6 |
Etiquetes populars: mòduls igbt, fabricants de mòduls igbt de la Xina, proveïdors, fàbrica
Enviar la consulta
Potser també t'agrada
