Casa - Productes - Dispositiu semiconductor de potència - Productes Mosfet Super Junction - Detalls

Super Junction Mosfet 700v

Dominem tant els MOSFET de trinxera profunda com de súper unió Multi-EPI
tecnologia, i té una cartera de productes molt completa. Súper
Les especificacions del producte MOSFET d'unió cobreixen 500 V-1200V, 2A-99A.
Som el primer MOSFET de súper unió produït en massa nacional
amb una tensió de suport superior a 1000 V i posseeix 600 V/16,5 mΩ
productes com a Rdson ultra baix i va introduir una integració innovadora
paquet d'aïllament, SOT-223-2L, PDFN8X8 i altres productes de paquet.

Enviar la consulta

Descripció

Super Junction MOSFET 700V (SJ MOSFET 700V) és una tecnologia especial de

Transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic-semiconductor. Està dissenyat per resoldre el

problema que la resistència activa dels MOSFET tradicionals augmenta quan es classifica

la tensió augmenta. Per als MOSFET SJ de 700 V, aquesta tecnologia és especialment adequada

per a aplicacions

que requereixen alt voltatge i baixes pèrdues. Per exemple, en aplicacions de topologia flyback,

la família MOSFET SJ de 700 V ofereix guanys d'eficiència de fins a un 4% i la temperatura del dispositiu

reduccions de fins a 16 graus. En comparació amb la tecnologia anterior de 650 V, l'eficiència

augmenta un 2,4% i la temperatura del dispositiu es redueix en 12 graus. Dirigit a

mercats de baix consum, com ara carregadors de telèfons mòbils i adaptadors per a portàtils, LED

il·luminació, dispositius d'entreteniment domèstic i fonts d'alimentació auxiliars, aquesta tecnologia

ofereix un avantatge competitiu en costos amb pèrdues de commutació baixes, excel·lent tèrmica

rendiment i capacitats de commutació d'alta velocitat.
A més, l'optimització dels MOSFET SJ també inclou avenços en el procés

tecnologia, com ara la tecnologia de gravat de solc profund i la realització de càrrega

concordança, que milloren molt el rendiment i la fiabilitat dels MOSFET SJ.

Per exemple, la tecnologia d'unió de segona generació de Versine (SJ II) ha millorat

el rendiment del dispositiu (Ron*A) aproximadament un 30% en comparació amb la primera generació

tecnologia, mostrant una forta competitivitat ‌.

WMF05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	SOT-223-2L	700	1.55	5.4	5	30	3.5
WMP05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	A-251	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMO05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	A-252	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WML05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F	700	1.55	5.4	23	30	3.5
WMK05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	A-220	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMN05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	A-262	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMK08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220	700	0.93	5.5	46	30	3
WML08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F	700	0.93	5.5	26	30	3
WMM08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-263	700	0.93	5.5	46	30	3
WMN08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-262	700	0.93	5.5	46	30	3
WMO08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-252	700	0.93	5.5	46	30	3
WMP08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-251	700	0.93	5.5	46	30	3
WMK10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220	700	0.6	8	63	30	3
WML10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F	700	0.6	8	28	30	3
WMM10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-263	700	0.6	8	63	30	3
WMN10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-262	700	0.6	8	63	30	3
WMO10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-252	700	0.6	8	63	30	3
WMP10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-251	700	0.6	8	63	30	3
WMU10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F NL	700	0.6	8	28	30	3
WMK13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220	700	0.39	11	85	30	3
WML13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F	700	0.39	11	31	30	3
WMM13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-263	700	0.39	11	85	30	3
WMN13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-262	700	0.39	11	85	30	3
WMO13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-252	700	0.39	11	85	30	3
WMP13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-251	700	0.39	11	85	30	3
WMU13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F NL	700	0.39	11	31	30	3
WMK18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220	700	0.28	16	125	30	3
WML18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F	700	0.28	16	34	30	3
WMM18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-263	700	0.28	16	125	30	3
WMN18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-262	700	0.28	16	125	30	3
WMO18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-252	700	0.28	16	125	30	3
WMP18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-251	700	0.28	16	125	30	3
WMK25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220	700	0.19	22	147	30	3
WML25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F	700	0.19	22	34	30	3
WMM25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-263	700	0.19	22	147	30	3
WMN25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-262	700	0.19	22	147	30	3
WMJ25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-247	700	0.19	22	147	30	3
WMK30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220	700	0.16	27	210	30	3
WML30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-220F	700	0.16	27	34	30	3
WMM30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-263	700	0.16	27	210	30	3
WMN30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-262	700	0.16	27	210	30	3
WMJ30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	A-247	700	0.16	27	210	30	3
WMK07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220	700	1.14	5	42	30	3
WML07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220F	700	1.14	5	23	30	3
WMM07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-263	700	1.14	5	42	30	3
WMN07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-262	700	1.14	5	42	30	3
WMO07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-252	700	1.14	5	42	30	3
WMP07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-251	700	1.14	5	42	30	3
WMK08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220	700	0.78	6	45	30	3
WML08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220F	700	0.78	6	26	30	3
WMM08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-263	700	0.78	6	45	30	3
WMN08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-262	700	0.78	6	45	30	3
WMO08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-252	700	0.78	6	45	30	3
WMP08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-251	700	0.78	6	45	30	3
WMK10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220	700	0.6	8	57	30	3
WML10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220F	700	0.6	8	27	30	3
WMM10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-263	700	0.6	8	57	30	3
WMN10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-262	700	0.6	8	57	30	3
WMO10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-252	700	0.6	8	57	30	3
WMP10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-251	700	0.6	8	57	30	3
WMK14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220	700	0.38	11	85	30	3
WML14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220F	700	0.38	11	31	30	3
WMM14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-263	700	0.38	11	85	30	3
WMN14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-262	700	0.38	11	85	30	3
WMO14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-252	700	0.38	11	85	30	3
WMP14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-251	700	0.38	11	85	30	3
WMK15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220	700	0.32	13	86	30	3
WML15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-220F	700	0.32	13	31	30	3
WMM15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-263	700	0.32	13	86	30	3
WMN15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-262	700	0.32	13	86	30	3
WMO15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-252	700	0.32	13	86	30	3
WMP15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	A-251	700	0.32	13	86	30	3
WML15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	A-220F	700	0.395	12	31	30	3.5
WMO15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	A-252	700	0.395	12	86	30	3.5
WMO11N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-252	700	0.62	9	63	20	3.5
WML11N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-220F	700	0.62	9	28	20	3.5
WMK11N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-220	700	0.62	9	63	20	3.5
WMM11N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-263	700	0.62	9	63	20	3.5
WMN11N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-262	700	0.62	9	63	20	3.5
WMP11N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-251	700	0.62	9	63	20	3.5
WMK15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	A-220	700	0.395	12	86	30	3.5
WMM15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	A-263	700	0.395	12	86	30	3.5
WMN15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	A-262	700	0.395	12	86	30	3.5
WMP15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	A-251	700	0.395	12	86	30	3.5
WMO16N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-252	700	0.36	14	86	20	3.5
WML16N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-220F	700	0.36	14	31	20	3.5
WMK16N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-220	700	0.36	14	86	20	3.5
WMM16N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-263	700	0.36	14	86	20	3.5
WMN16N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-262	700	0.36	14	86	20	3.5
WMP16N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-251	700	0.36	14	86	20	3.5
WML26N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-220F	700	0.205	20	34	20	3.5
WMK26N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-220	700	0.205	20	147	20	3.5
WMM26N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-263	700	0.205	20	147	20	3.5
WMN26N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-262	700	0.205	20	147	20	3.5
WMJ26N70SR	SJ-MOS SR de canal N	A-247	700	0.205	20	147	20	3.5
WMO08N70PC4	Canal N SJ-MOS C4	A-252	700	0.93	5	38	20	3
WMO04N70PC4	Canal N SJ-MOS C4	A-252	700	2.8	2.8	30	20	3
WMO07N70PC4	Canal N SJ-MOS C4	A-252	700	1.38	4	35	20	3